#1 |
数量:494 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
|
规格书 |
IPA045N10N3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 64A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 4.5 mOhm @ 64A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 150µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 117nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 8410pF @ 50V |
功率 - 最大 | 39W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 64A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 150µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | PG-TO220-FP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.5 mOhm @ 64A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 39W |
标准包装 | 500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 8410pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 117nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 64 A |
封装/外壳 | TO-220FP |
零件号别名 | IPA045N10N3GXKSA1 SP000478912 |
下降时间 | 15 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPA045N10 |
RDS(ON) | 4.5 mOhms |
功率耗散 | 39 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 47 ns |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅极电荷Qg | 28 nC |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 4.85 mm |
Qg - Gate Charge | 28 nC |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 64 A |
长度 | 10.65 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.5 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 16.15 mm |
典型导通延迟时间 | 25 ns |
Pd - Power Dissipation | 39 W |
技术 | Si |
IPA045N10N3 G也可以通过以下分类找到
IPA045N10N3 G相关搜索